碳化硅设备价格

碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速

2023年4月26日目前国内碳化硅切割设备主流为金刚线切割设备，主要集中于高测股份、上机数控、连城数控、宇晶股份等国内企业；激光切割设备目前试产份额较小，主要集中于德龙激光、大族激光等国内企业。

「更新」SiC主流衬底外延，价格、设备及趋势分析

2023年10月12日 2022年6寸半绝缘型碳化硅衬底价格约7000元/片，2025年有望降低到6000元/片。 SiC 衬底、器件、外延片市场规模预测 SiC外延片国产率低的主要原因：进口外延炉供货短缺国产外延炉有待验证外延片量产质量不稳定（浓度、厚度一致性），难量产碳化硅外延片价格发展趋势 (RMB/cm^2) 国内外SiC衬底份额现状 SiC设备、制造现状

碳化硅设备行业深度报告： S i C 东风已来，关注衬底与外延

2023年9月14日碳化硅(SiC)具有更高热导率、高击穿场强等优点,适用于制作高温、高频、高功率器件,新能源汽车是未来第一大应用市场,2027年新能源汽车导电型SiC 功率器件市场规模有望达50 亿美元,占比高达79% ,全球已有多家车企的多款车型使用SiC,例如特斯拉、蔚来、比亚迪等,SiC 迎来上车导入期。 SiC 产业链70%价值量集中在衬底和外延环节,其中衬底

碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关

2023年9月27日其中晶盛机电6寸单片式碳化硅外延设备（型号为150A，产能350400片）已实现国产替代，22年公司外延设备市占率居国内前列。23年6月公司又成功研发8英寸单片式碳化硅外延生长设备，引领国产替代。（2）外延产能布局国外双寡头垄断全球市

碳化硅国产化全产业链专家交流知乎

2022年9月4日单品价格：6 寸大约处在 5500 元上下，比国外 cree 低 10%左右。 2 天岳先进：最近将半绝缘一部分产能转换成 6 寸，一个月产出 2000 多片。最新的三年长期订单，大约为 20 多万片，平均每年 6~7 万片，客户应该是瀚天天成，国外可能是博世。良率比之前有所突破，比天科合达稍微低一些。临港厂导电型扩产产能 30 片，预计在 2023

碳化硅行业研究：SiC成本逐步下降，行业有望迎来爆发拐点

2022年8月15日华为在《数字能源 2030》中指出，以碳化硅为代表的第三代半导体功率芯片和器件能够大幅提升各类电力电子设备的能量密度，提高电能转换效率，降低损耗，渗透率将在未来全面提升；碳化硅的瓶颈当前主要在于衬底成本高，预计未来 2025 年前，其价格会

碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关

2023年9月27日碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表，在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱和速率、抗辐射能力等关键参数方面具有显著优势，满足了现代工业对高功率、高电压、高频率的需求，主要被用于制作高速、高频、大功率及发光电子元器件。 2、SiC作为第三代半导体材料优势明显 SiC作为第三代半导体材料具备诸多显著优势：（1）耐

把碳化硅价格“打下来”中国纳米行业门户

2024年7月23日有业界人士透露，目前中国6英寸碳化硅晶圆代工价格，已降至每片1,200至1,800美元左右，较两年多前每片4000美元左右的代工价格已经暴跌了70%，这主要受益于碳化硅上游产业价格下降所致。

碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速

2023年4月26日目前国内碳化硅切割设备主流为金刚线切割设备，主要集中于高测股份、上机数控、连城数控、宇晶股份等国内企业；激光切割设备目前试产份额较小，主要集中于德龙激光、大族激光等国内企业。

「更新」SiC主流衬底外延，价格、设备及趋势分析

2023年10月12日 2022年6寸半绝缘型碳化硅衬底价格约7000元/片，2025年有望降低到6000元/片。 SiC 衬底、器件、外延片市场规模预测 SiC外延片国产率低的主要原因：进口外延炉供货短缺国产外延炉有待验证外延片量产质量不稳定（浓度、厚度一致性），难量产碳化硅外延片价格发展趋势 (RMB/cm^2) 国内外SiC衬底份额现状 SiC设备、制造现状 SiC长晶：工艺难点在

碳化硅设备行业深度报告： S i C 东风已来，关注衬底与外延

2023年9月14日碳化硅(SiC)具有更高热导率、高击穿场强等优点,适用于制作高温、高频、高功率器件,新能源汽车是未来第一大应用市场,2027年新能源汽车导电型SiC 功率器件市场规模有望达50 亿美元,占比高达79% ,全球已有多家车企的多款车型使用SiC,例如特斯拉、蔚来、比亚迪等,SiC 迎来上车导入期。 SiC 产业链70%价值量集中在衬底和外延环节,其中衬底、外延成本分别占整

碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关

2023年9月27日其中晶盛机电6寸单片式碳化硅外延设备（型号为150A，产能350400片）已实现国产替代，22年公司外延设备市占率居国内前列。23年6月公司又成功研发8英寸单片式碳化硅外延生长设备，引领国产替代。（2）外延产能布局国外双寡头垄断全球市场，CR2超90

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2022年9月4日单品价格：6 寸大约处在 5500 元上下，比国外 cree 低 10%左右。 2 天岳先进：最近将半绝缘一部分产能转换成 6 寸，一个月产出 2000 多片。最新的三年长期订单，大约为 20 多万片，平均每年 6~7 万片，客户应该是瀚天天成，国外可能是博世。良率比之前有所突破，比天科合达稍微低一些。临港厂导电型扩产产能 30 片，预计在 202324 年达成目标。 3

碳化硅行业研究：SiC成本逐步下降，行业有望迎来爆发拐点

2022年8月15日华为在《数字能源 2030》中指出，以碳化硅为代表的第三代半导体功率芯片和器件能够大幅提升各类电力电子设备的能量密度，提高电能转换效率，降低损耗，渗透率将在未来全面提升；碳化硅的瓶颈当前主要在于衬底成本高，预计未来 2025 年前，其价格会

碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关

2023年9月27日碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表，在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱和速率、抗辐射能力等关键参数方面具有显著优势，满足了现代工业对高功率、高电压、高频率的需求，主要被用于制作高速、高频、大功率及发光电子元器件。 2、SiC作为第三代半导体材料优势明显 SiC作为第三代半导体材料具备诸多显著优势：（1）耐高压： SiC材料相比

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2024年7月23日有业界人士透露，目前中国6英寸碳化硅晶圆代工价格，已降至每片1,200至1,800美元左右，较两年多前每片4000美元左右的代工价格已经暴跌了70%，这主要受益于碳化硅上游产业价格下降所致。

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2023年4月26日目前国内碳化硅切割设备主流为金刚线切割设备，主要集中于高测股份、上机数控、连城数控、宇晶股份等国内企业；激光切割设备目前试产份额较小，主要集中于德龙激光、大族激光等国内企业。

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2022年9月4日单品价格：6 寸大约处在 5500 元上下，比国外 cree 低 10%左右。 2 天岳先进：最近将半绝缘一部分产能转换成 6 寸，一个月产出 2000 多片。最新的三年长期订单，大约为 20 多万片，平均每年 6~7 万片，客户应该是瀚天天成，国外可能是博世。良率比之前有所突破，比天科合达稍微低一些。临港厂导电型扩产产能 30 片，预计在 2023

碳化硅行业研究：SiC成本逐步下降，行业有望迎来爆发拐点

2022年8月15日华为在《数字能源 2030》中指出，以碳化硅为代表的第三代半导体功率芯片和器件能够大幅提升各类电力电子设备的能量密度，提高电能转换效率，降低损耗，渗透率将在未来全面提升；碳化硅的瓶颈当前主要在于衬底成本高，预计未来 2025 年前，其价格会

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2023年9月27日碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表，在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱和速率、抗辐射能力等关键参数方面具有显著优势，满足了现代工业对高功率、高电压、高频率的需求，主要被用于制作高速、高频、大功率及发光电子元器件。 2、SiC作为第三代半导体材料优势明显 SiC作为第三代半导体材料具备诸多显著优势：（1）耐

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2024年7月23日有业界人士透露，目前中国6英寸碳化硅晶圆代工价格，已降至每片1,200至1,800美元左右，较两年多前每片4000美元左右的代工价格已经暴跌了70%，这主要受益于碳化硅上游产业价格下降所致。

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2023年4月26日 — 目前国内碳化硅切割设备主流为金刚线切割设备，主要集中于高测股份、上机数控、连城数控、宇晶股份等国内企业；激光切割设备目前试产份额较小，主要集中于德龙激光、大族激光等国内企业。

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2023年10月12日 — 2022年6寸半绝缘型碳化硅衬底价格约7000元/片，2025年有望降低到6000元/片。 SiC 衬底、器件、外延片市场规模预测 SiC外延片国产率低的主要原因：进口外延炉供货短缺国产外延炉有待验证外延片量产质量不稳定（浓度、厚度一致性），难量产碳化硅外延片价格发展趋势 (RMB/cm^2) 国内外SiC衬底份额现状 SiC设备、制造现状 SiC长晶：工艺难点在

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2023年9月14日 — 碳化硅(SiC)具有更高热导率、高击穿场强等优点,适用于制作高温、高频、高功率器件,新能源汽车是未来第一大应用市场,2027年新能源汽车导电型SiC 功率器件市场规模有望达50 亿美元,占比高达79% ,全球已有多家车企的多款车型使用SiC,例如特斯拉、蔚来、比亚迪等,SiC 迎来上车导入期。 SiC 产业链70%价值量集中在衬底和外延环节,其中衬底、外延成本分别占整

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2022年8月15日 — 华为在《数字能源 2030》中指出，以碳化硅为代表的第三代半导体功率芯片和器件能够大幅提升各类电力电子设备的能量密度，提高电能转换效率，降低损耗，渗透率将在未来全面提升；碳化硅的瓶颈当前主要在于衬底成本高，预计未来 2025 年前，其价格会

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2023年10月12日 2022年6寸半绝缘型碳化硅衬底价格约7000元/片，2025年有望降低到6000元/片。 SiC 衬底、器件、外延片市场规模预测 SiC外延片国产率低的主要原因：进口外延炉供货短缺国产外延炉有待验证外延片量产质量不稳定（浓度、厚度一致性），难量产碳化硅外延片价格发展趋势 (RMB/cm^2) 国内外SiC衬底份额现状 SiC设备、制造现状

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2023年9月14日碳化硅(SiC)具有更高热导率、高击穿场强等优点,适用于制作高温、高频、高功率器件,新能源汽车是未来第一大应用市场,2027年新能源汽车导电型SiC 功率器件市场规模有望达50 亿美元,占比高达79% ,全球已有多家车企的多款车型使用SiC,例如特斯拉、蔚来、比亚迪等,SiC 迎来上车导入期。 SiC 产业链70%价值量集中在衬底和外延环节,其中衬底

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2022年8月15日华为在《数字能源 2030》中指出，以碳化硅为代表的第三代半导体功率芯片和器件能够大幅提升各类电力电子设备的能量密度，提高电能转换效率，降低损耗，渗透率将在未来全面提升；碳化硅的瓶颈当前主要在于衬底成本高，预计未来 2025 年前，其价格会

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