如果你需要购买磨粉机，而且区分不了雷蒙磨与球磨机的区别，那么下面让我来给你讲解一下： 雷蒙磨和球磨机外形差异较大，雷蒙磨高达威猛，球磨机敦实个头也不小，但是二者的工
随着社会经济的快速发展，矿石磨粉的需求量越来越大，传统的磨粉机已经不能满足生产的需要，为了满足生产需求，黎明重工加紧科研步伐，生产出了全自动智能化环保节能立式磨粉
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2023年4月26日 目前，意法半导体、丰田集团和 电装集团等已实现 HTCVD 规模化生产碳化硅晶体，国内江苏超芯星已 研制出 HTCVD 碳化硅单晶生长设备。 TSSG法有望成为制备大尺寸、高结晶质量且成本更低的衬底制备方法。
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2024年3月22日 该设备专为中国市场定制，并结合半导体行业生产特点，将德国的设计经验和理念与中国本土化生产配套能力优势联合，采用PVT法(物理气相传输工艺)生产碳化硅晶体，计划于2024年第二季度投入市场。
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2023年9月14日 碳化硅(SiC)具有更高热导率、高击穿场强等优点,适用于制作高温、高频、高功率器件,新能源汽车是未来第一大应用市场,2027年新能源汽车导电型SiC 功率器件市场规模有望达50 亿美元,占比高达79% ,全球已有多家车企的多款车型使用SiC,例如特斯拉、蔚来、比亚迪等,SiC 迎来上车导入期。 SiC 产业链70%价值量集中在衬底和外延环节,其中衬底、外延成本分别占整
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2024年2月18日 就生产流程而言，碳化硅粉末需要经过长晶形成晶碇，再经过切片、打磨和抛光等一系列步骤方可制成碳化硅衬底；衬底通过外延生长形成外延片；外延片再经过光刻、刻蚀、离子注入、沉积等工序制造成器件。 整个流程所涉及的设备多达数十种。 其中，衬底片制备流程所需设备及代表厂商如下： 03 长晶炉：基本完成国产设备替代 晶体生长所需的温度在2,000℃
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2024年8月26日 国产芯片制造装备打破国外垄断：我国首套碳化硅晶锭激光剥离设备投产 中国芯,中国造,中国装备!8月23日,记者从江苏通用半导体有限公司获悉,由该
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2023年2月26日 26日 机械设备 关注碳化硅设备国产化突破和加速 ——行业周报 机械设备 沪深 碳化硅是制作大功率、高频、低损耗功率器件的最佳材料 300 与硅基半导体材料相比,碳化硅具备能量损耗低、封装尺寸更小、可实现高频开 202202 202206 202210 数据来源:聚源 相关研究报告 《核电设备迎景气周期,ChatGPT启机器人新纪元 开—行业周报》2023219 《工业
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2024年8月23日 8月21日，从江苏通用半导体有限公司传来消息，由该公司自主研发的国内首套的8英寸碳化硅晶锭激光全自动剥离设备正式交付碳化硅衬底生产领域头部企业广州南砂晶圆半导体技术有限公司，并投入生产。 图：8英寸SiC晶锭激光全自动剥离设备 该设备可实现6
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2024年8月23日 江苏通用半导体有限公司自主研发的国内首套的8英寸碳化硅晶锭 激光 全自动剥离设备，近日已经正式交付碳化硅衬底生产领域头部企业广州南砂晶圆半导体技术有限公司，并投入生产。 该设备可实现6英寸和8英寸碳化硅晶锭的全自动分片，包含晶锭上料、晶锭研磨、激光切割、晶片分离和晶片收集
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2024年8月26日 据新闻晨报报道，8月21日，从江苏通用半导体有限公司（下文简称通用半导体）传来消息，由该公司自主研发的国内首套的8英寸碳化硅晶锭激光全自动剥离设备正式交付碳化硅衬底生产领域头部企业，并投入生产。图：8英寸SiC晶锭激光全自动剥离设备（source：通用半导体）据介绍，该设备可实现
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2022年12月15日 中电科48所陆续开发出碳化硅外延设备、高温高能离子注入机、高温激活炉、高温氧化炉，并持续研发第二代、第三代机型，截至目前，其碳化硅设备已在生产线应用/签订合同百余台套。
